2024年10月9日消息,阿斯麥(ASML)相關負責人近日公開表示,英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成兩臺High NA EUV光刻機(單臺設備的售價約為3.5億美元)的安裝。
據(jù)悉,High NA EUV光刻機所需的所有基礎設施已經(jīng)到位并開始運行,并且用于High NA EUV光刻機的光刻掩模檢測工作也已經(jīng)按計劃開始進行。
光刻機被譽為集成電路產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”,是制造手機、電腦等電子芯片的關鍵機器設備。阿斯麥(ASML)作為光刻機領域龍頭企業(yè),幾乎壟斷了目前全球光刻機的市場份額,其在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展中有著重要地位。
此外,還有Nikon、Canon,同樣也是全球光刻機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵性企業(yè),與阿斯麥(ASML)一起占據(jù)著絕大部分的市場份額。
那,國產(chǎn)光刻機發(fā)展如何呢?
目前國產(chǎn)化率不足3%,核心原因主要在于零組件供應與整機技術與海外差距較大。不過,近期也傳出技術突破的好消息!
2024年9月,工業(yè)和信息化部印發(fā)《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》。在電子專用設備集成電路生產(chǎn)裝備方面,氟化氪光刻機、氟化氬光刻機位列其中。
氟化氪光刻機核心技術指標:
晶圓直徑:300mm;
照明波長:248nm;
分辨率≤110nm;
套刻≤25nm;
氟化氬光刻機核心技術指標:
晶圓直徑:300mm;
照明波長:193nm;
分辨率≤65nm;
套刻≤8nm;
有業(yè)內(nèi)人士表示,國產(chǎn)氟化氬光刻機(套刻≤25nm)的數(shù)據(jù)與阿斯麥(ASML)旗下TWINS
CAN XT:1460K最為接近。
目前光刻機可分為直寫光刻機與掩膜光刻機,主要有i-Iine(汞線)、KrF(氟化氪)、ArF(氟化氬)、ArFi(浸潤式氟化氬)、EUV(極紫外)五大類。
9月10日,上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱:上海微電子)公開了一項名為“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設備”的發(fā)明專利。該專利的申請日期為2023年3月9日,涵蓋了極紫外輻射發(fā)生裝置及其在光刻設備中的應用。
上海微電子的專利發(fā)明旨在提供一種極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設備,用于高效且簡便地收集帶電粒子以提高收集器鏡的使用壽命。
智能制造網(wǎng)了解到,極紫外光刻技術(EUV lithography)是一種使用波長為13.5納米的極紫外光作為光源的下一代光刻技術,廣泛應用于半導體制造中,是面向7nm及以下節(jié)點的主流光刻技術。
東海證券認為,目前國產(chǎn)光刻機整機技術與海外差距較大,5~10年內(nèi)90nm、28nm光刻機的研發(fā)量產(chǎn)較為關鍵。智能制造網(wǎng)堅信,只要不斷提高技術研發(fā),相信我國也會很快研發(fā)出浸潤式光刻機,甚至是EUV光刻機!
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